Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).
Ж.И. АЛФЕРОВ: СТУДЕНТ, ПРОФЕССОР - НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ
10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).
Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС - одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.
Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию - поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.
После окончания ЛЭТИ
Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический
институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова
были разработаны первые советские транзисторы.
В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И. Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.
Под научным руководством Ж.И. Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.
Благодаря
фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах.
Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности
рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят
традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией
электроэнергии.
К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек. Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И. Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.
Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.
В 1973 г. академик
Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и
возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру
в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые.
Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты.
Когда в 2003 г. отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие
данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных
специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им.
А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше
тридцати - докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е. Жуков стали
членами-корреспондентами РАН.
Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г. — организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН. Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.
Академик Ж.И. Алферов
делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской
науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил
международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским
и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.
По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга. В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г. - экономика и социология в XXI веке.
Академик Ж.И. Алферов
- крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов,
свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники.
Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными
премиями СССР и России, премией им. А.П. Карпинского (ФРГ), Демидовской
премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской
премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна
Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями
СССР, России и зарубежных стран.
Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.
Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН. Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И. Алферов - вице-президент РАН.
Профессор Быстров Ю.А.
Жорес Алферов – живая легенда отечественной науки. Ученый, открытия которого стали основой для создания современных электронных устройств. Наш мир уже невозможно представить без лазеров, полупроводников, светодиодов и оптоволоконных сетей. Все это стало доступно человечеству благодаря изобретениям Жореса Алферова и воспитанных им молодых ученых.
Заслуги российского (в прошлом – советского) физика высоко отмечены во всех уголках Земли и даже в космосе. Астероид (3884) Alferov носит имя лауреата Нобелевской премии, академика РАН и почетного члена международных научных сообществ.
Детство и юность
Детство ученого выпало на тяжелые годы. Мир сильно изменился с тех пор, как в семье коммунистов Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм родился младший сын. Старшего сына родители назвали Марксом (он погиб в последние дни Корсунь-Шевченковской битвы), а младший получил имя в честь Жана Жореса, вождя французских социалистов.
Семья Жореса Алферова: родители и брат
Родившийся 15 марта 1930 года в Витебске ребенок до войны успел исколесить вместе с родителями стройки Сталинграда, Новосибирска, Барнаула и Сясьстроя. Если бы семья Алферовых осталась жить в Белоруссии, то мировая наука могла бы понести огромную утрату, так и не узнав о нем. Национальность Анны Розенблюм стала бы причиной гибели и матери, и сына от рук нацистов.
Годы Второй мировой войны семья жила в Свердловской области, но нормально учиться в школе будущему ученому в это время не довелось. Однако по возвращении в Минск Жорес быстро наверстал упущенное время. Школу закончил с золотой медалью. Сейчас эта школа называется гимназией №42 и носит имя знаменитого ученика.
Учитель физики Яков Борисович Мельцерзон заметил способности юноши и рекомендовал поступать на энергетический факультет Белорусского Политеха. Определившись с кругом научных интересов, Алферов перевелся в ЛЭТИ. В 1952 году начал научную карьеру.
Наука
Выпускник мечтал работать в Физтехе под руководством Абрама Федоровича Иоффе. Физико-технический институт был в послевоенное время легендой. В шутку его именовали «детским садом Иоффе» - именно там росли молодые , и . Там Жорес Иванович стал частью команды, создавшей первые советские транзисторы.
Транзисторы стали темой для кандидатской диссертации молодого ученого. Впоследствии Жорес Иванович переключился на изучение гетероструктур (искусственных кристаллов) и движением в них света и других видов излучения. В его лаборатории работали с лазерами, уже в 1970 году там создали первые в мире солнечные батареи. Ими оснащали спутники, они снабжали электроэнергией орбитальную станцию «Мир».
Занятия прикладной наукой шли параллельно с преподавательской работой. Жорес Иванович писал книги и статьи. Руководил кафедрой оптоэлектроники и лично отбирал студентов. Увлеченные физикой школьники посещали его ежегодные курсы лекций «Физика и жизнь».
Сейчас при Академическом университете, бессменным ректором которого является Жорес Алферов, действует лицей «Физико-техническая школа». Лицей является нижней ступенью научно-образовательного учреждения, в который входит и мощный научно-исследовательский центр. Академик видит в лицеистах будущее российской науки.
«Будущее России - наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем-то из моих учеников».
Эта цитата из публичного выступления Жореса Ивановича раскрывает веру ученого в победу пытливого разума над желанием обогащения.
Личная жизнь
Возможно, первым научным успехам ученого поспособствовала неудача в личной жизни. Первый брак Жореса Ивановича распался со скандалом. Красавица жена с помощью влиятельных грузинских родственников отсудила у мужа при разводе ленинградскую квартиру. В собственности Алферова остались лишь мотоцикл и раскладушка, на которой он ночевал в лаборатории. Разрыв отношений привел к полной потере отношений отца с дочерью.
Вторично ученый женился только в 1967 году, и этот брак выдержал испытание временем. Вместе с Тамарой Дарской Жорес воспитал ее дочь Ирину и общего сына Ивана. Рождение сына совпало с другим событием в биографии - получением Ленинской премии. Дети давно выросли, Жорес Иванович успел стать дедушкой. У него два внука и внучка.
Последние годы
Авторитет ученого в мировой науке опирается на более 500 научных работ и почти сотню изобретений. Но деятельность Нобелевского лауреата не ограничивалась физикой. Летом 2017 года в стенах Самарского университета академик прочитал открытую лекцию на тему: «Альберт Эйнштейн, социализм и современный мир», где раскрыл вопросы взаимодействия ученых и правителей.
В своих выступлениях ученый называл положение науки в России ужасающим и отстаивал права РАН на самоуправление и достойное финансирование. Ученый считал, что государство должно обеспечивать граждан бесплатной медициной, образованием и жильем, а в противном случае эта структура бесполезна.
Жорес Иванович принимал непосредственное участие в управлении государством. Еще в 1989 году его выбрали народным депутатом СССР от Академии Наук. С тех пор академик постоянно избирался в российскую Думу, активно отстаивая интересы ученых и простых граждан.
В августе 2017 года журнал Форбс включил Жореса Алферова в сотню самых влиятельных россиян последнего столетия. Несмотря на солидный возраст, нобелевский лауреат на видеозаписях и фото выглядел бодрым и уверенным в себе.
Смерть
2 марта 2019 года Жорес Алферов в возрасте 88 лет. Как рассказал журналистам главврач больницы Российской академии наук Олег Чагунава, причиной смерти нобелевского лауреата стала острая сердечно-легочная недостаточность. Накануне Алферов несколько месяцев наблюдался у медиков с жалобой на гипертонию.
Организацию похорон прославленного физика взяла на себя КПРФ.
Награды и достижения
- 1959 - Орден «Знак Почёта»
- 1971 - Медаль Стюарта Баллантайна (США)
- 1972 - Ленинская премия
- 1975 - Орден Трудового Красного Знамени
- 1978 - Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество)
- 1980 - Орден Октябрьской Революции
- 1984 - Государственная премия СССР
- 1986 - Орден Ленина
- 1987 - Золотая медаль Генриха Велкера (Симпозиум по GaAs)
- 1989 - Премия имени Карпинского (ФРГ)
- 1993 - XLIX Менделеевский чтец
- 1996 - Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН)
- 1998 - Почетный доктор СПбГУП
- 1999 - Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени
- 1999 - Демидовская премия (Научный Демидовский фонд)
- 1999 - Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН)
- 2000 - Нобелевская премия (Швеция)
- 2000 - Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени
- 2000 - Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки)
- 2001 - Орден Франциска Скорины (Беларусь)
- 2001 - Премия Киото (Япония)
- 2001 - Премия В. И. Вернадского (Украина)
- 2001 - Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда»
- 2002 - Государственная премия Российской Федерации
- 2002 - Золотая медаль SPIE
- 2002 - Награда «Золотая тарелка» (США)
- 2003 - Орден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина)
- 2005 - Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени
- 2005 - Международная энергетическая премия «Глобальная энергия»
- 2008 - Звание и медаль Почётного профессора МФТИ
- 2009 - Орден Дружбы народов (Беларусь)
- 2010 - Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени
- 2010 - Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО
- 2011 - Звание «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета»
- 2013 - Международная премия Карла Боэра
- 2015 - Орден Александра Невского
- 2015 - Золотая медаль имени Низами Гянджеви (Азербайджан)
- 2015 - Звание «Почётный профессор МИЭТ»
Нобелевский лауреат 2000 года по физике Жорес Иванович Алферов родился в 1930 году в Витебске. Свое детство и юность он провел в БССР, его родители – коренные белорусы. Именно поэтому несмотря на то, что большую часть жизни он прожил в России, его считают в том числе белорусским ученым. Престижнейшей наградой Жорес Иванович удостоен за открытие гетероструктурных полупроводников, которые сегодня используются в современных компьютерах. Прочие наработки ученого использовались при разработке солнечных элементов для космических батарей, создании эффективного оптоволоконного кабеля, лазера компакт дисков, считывающих устройств, функционирующих на основе метода декодирования, и многих иных приспособлений и устройств. Несмотря на проживание в России ученый помнит о своих корнях родной земле, постоянно навещает Витебщину и иные места.
Обыкновенная советская семья, которая придерживалась политизированных взглядов, нарекла младшего сына именем в честь Жана Жореса – председателя социалистической партии Франции в то время. Совсем не типичное имя вовсе не мешало мальчику отлично учиться в средней школе. В это время несмотря на первостепенные сложности, связанные с изучением физики, наступает заинтересованность Алферова в точной науке. Благодаря дополнительным занятиям с учителем, а также самостоятельно полученным знаниям, в возрасте 10 лет юный исследователь создает детекторный приемник – свое первое изобретение. По окончании школы Алферов поступает в местный политехнический институт, но в результате перевода родителей в Ленинград переводится на второй курс в местном электромеханическом институте. После окончания этого учебного заведения он поступил в престижнейший ВУЗ того времени – Физико-технический институт, руководителем которого являлся академик Абрам Иоффе. Примечательно, что успешно завершив обучение и оставшись в лаборатории работать, Алферов фактически жил в ней. Вероятной причиной является ранняя женитьба и развод, поскольку квартира была оставлена бывшей жене и родившейся дочери.
Что касается непосредственной научной деятельности, то она осуществлялась как в период обучения в физико-техническом институте, так и после его окончания. Так, при участии будущего известного ученого были созданы первые советские транзисторы и силовые германиевые приборы. С 1959 года Жорес Иванович занимается изучением полупроводниковых гетероструктур. Тогда же защитил кандидатскую диссертацию на эту же тематику. Считается, что своим стремлением постичь прогрессивный в то время пласт физики, он сильно выделялся среди остальных ученых. Свою первую награду Алферов получил в 1963 году. В 1979 году защитил докторскую диссертацию, которая легла в основу исследования в области гетеропереходов в полупроводниках. Полученные результаты были высоко отмечены международным научным сообществом. Так, в этом же году ему была присуждена престижная премия Франклиновского института в США. Как отметалось ранее, в 2000 году выдающиеся заслуги были отмечены Нобелевским комитетом.
Жорес Иванович Алферов активно занимается не только наукой, но общественной деятельностью, а также политикой. При его патронаже и непосредственной инициативе в 2000-х годах в Санкт-Петербурге был возведен лицей для школьников, которые обладают способностями в области точных наук (в частности – физике). В нем преподают именитые профессоры с большим практическим опытом с целью выявления одаренных будущих ученых. Общая площадь лицея с бассейном, крытым кортом и компьютерными классами составляет 15 000 кв.м. Жорес Иванович находится в хороших отношениях с действующим президентом Российской Федерации В.В.Путиным, являлся многократно переизбираемым депутатом Госдумы. Является ректором-организатором Академического университета, членом российской и белорусской академий наук, почетным профессором многочисленных университетов по всему миру. Автор более 500 научных работ, 50 изобретений и 3 монографий.
15 марта исполняется 80 лет Жоресу Алферову, вице-президенту Российской академии наук, лауреату Нобелевской премии по физике.
Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 г . в Витебске (Белоруссия).
В 1952 г. окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (в настоящее время - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ).
С 1953 г. Жорес Алферов работает в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе, с 1987 г. - в качестве директора.
Принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов.
В 1970 г. Жорес Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 г. Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.
С начала 1990-х гг. Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 г. по май 2003 г. - директор СПбГЭТУ, с мая 2003 г. по июль 2006 г. - научный руководитель.
Исследования Жореса Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
В лаборатории Алферова была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 г. на космической станции "Мир": батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 г. без заметного снижения мощности.
Жорес Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 г. он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988 г. - декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 г. он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 г. - ее действительным членом, в 1990 г. - вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. Он автор более 500 научных работ, в том числе трех монографий и более 50 изобретений.
С 1989 г. по 1992 г. Жорес Алферов был народным депутатом СССР, с 1995 г. - депутат Государственной Думы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ).
В 2002 г. Алферов стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия» (учередители ОАО "Газпром", РАО "ЕЭС России", НК "ЮКОС" и ОАО «Сургутнефтегаз»). До 2006 г. возглавлял Международный комитет по присуждению премии «Глобальная энергия».
С 2003 г. Жорес Алферов - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.
Алферов - почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.
Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).
В 2000 г. Алферов получил Нобелевскую премию по физике "за достижения в электронике" совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером. Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Кремер получили половину денежной премии), а Килби - за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).
В 2002 г. за работу "Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе" Жорес Алферов и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены Государственной премии.
Жорес Алферов награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знаком Почета "3a заслуги перед Отечеством" III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации.
В феврале 2001 г. Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алферовым из средств Нобелевской премии.
Материал подготовлен на основе информации открытых источников
Жорес Алфёров. Фото: РИА Новости / Игорь Самойлов
В понедельник, 14 ноября, в Санкт-Петербурге ректор петербургского Академического университета Жорес Алфёров . Его состояние не вызывает опасений у врачей.
Жорес Алфёров — российский лауреат Нобелевской премии по физике. Премию он получил в 2000 году за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов.
АиФ.ru приводит биографию Жореса Алфёрова.
Досье
В декабре 1952 года окончил Ленинградский государственный электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина).
Годы учебы Ж.И. Алфёрова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС, одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.
Ещё в студенческие годы Ж. И. Алфёров начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых плёночных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, за него физик получил первую в своей жизни научную премию: поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.
После окончания ЛЭТИ Алфёров был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт, где стал работать в лаборатории В. М. Тучкевича . Здесь при участии Ж. И. Алфёрова были разработаны первые советские транзисторы.
В январе 1953 поступил в ФТИ им. А. Ф. Иоффе, где защитил кандидатскую (1961) и докторскую (1970) диссертации.
В начале 60-х годов Алфёров начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие им идеальных гетеропереходов и новых физических явлений — «сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах — позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
Благодаря исследованиям Ж. И. Алфёрова фактически создано новое направление: гетеропереходы в полупроводниках.
Своими открытиями учёный заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Алфёрова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации на CD-дисках и многое другое.
Под научным руководством Алфёрова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.
Благодаря фундаментальным работам Алфёрова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надёжности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.
С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
В 2003 году Алфёров оставил пост руководителя ФТИ им. А. Ф. Иоффе и до 2006 года занимал пост председателя учёного совета института. Однако Алфёров сохранил влияние на ряд научных структур, среди которых: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, НТЦ « Центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур» , научно-образовательный комплекс (НОК) Физико-технического института и физико-технический лицей.
С 1988 г. (с момента основания) — декан физико-технического факультета СПбГПУ.
В 1990-1991 годах — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра.
10 октября 2000 года стало известно, что Жорес Алфёров стал лауреатом Нобелевской премии по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. Саму премию он разделил с двумя другими физиками: Гербертом Крёмером и Джеком Килби .
С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по её присуждению.
5 апреля 2010 года объявлено о том, что Алфёров назначен научным руководителем инновационного центра в Сколково.
С 2010 года — сопредседатель Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».
В 2013 году баллотировался на пост президента РАН. Получив 345 голосов, занял второе место.
Автор более 500 научных работ, в том числе 4 монографий, более 50 изобретений. Среди его учеников более сорока кандидатов и десяти докторов наук. Наиболее известные представители школы: чл.-корреспонденты РАН Д. З. Гарбузов и Н. Н. Леденцов, доктора физ.-мат. наук: В. М. Андреев, В. И. Корольков, С. Г. Конников, С. А. Гуревич, Ю. В. Жиляев, П. С. Копьев и др.
О проблемах современной науки
Обсуждая с корреспондентом газеты «Аргументы и факты» проблемы современной российской науки, заметил: «Отставание в науке — не следствие какой-либо слабости русских учёных или проявления национальной черты, а результат дурацкого реформирования страны».
После начавшейся в 2013 году реформы РАН Алфёров неоднократно высказывал отрицательное отношение к данному законопроекту. В обращении учёного к Президенту РФ говорилось:
«После жесточайших реформ 1990-х годов, многое утратив, РАН тем не менее сохранила свой научный потенциал гораздо лучше, чем отраслевая наука и вузы. Противопоставление академической и вузовской науки совершенно противоестественно и может проводиться только людьми, преследующими свои очень странные политические цели, весьма далёкие от интересов страны. Закон о реорганизации РАН и других государственных академий наук отнюдь не решает задачу повышения эффективности научных исследований».
Политическая и общественная деятельность
1944 — член ВЛКСМ.
1965 — член КПСС.
1989-1992 — народный депутат СССР.
1995-1999 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 2 созыва от движения «Наш дом — Россия» (НДР), председатель подкомитета по науке Комитета по науке и образованию Госдумы, член фракции НДР, с 1998 — член депутатской группы « Народовластие» .
1999-2003 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 3 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета по образованию и науке.
2003-2007 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 4 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета по образованию и науке.
2007-2011 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 5 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям. Старейший депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 5 созыва.
2012-2016 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 6 созыва от КПРФ, член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям.
С 2016 года — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 7 созыва от КПРФ. Старейший депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 7 созыва.
Член редакционного совета радиогазеты «Слово».
Председатель Редакционной коллегии журнала «Нанотехнологии. Экология. Производство».
Учредил Фонд поддержки образования и науки для помощи талантливой учащейся молодёжи, содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алфёровым из средств Нобелевской премии.
В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединённых Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО).
Награды и звания
Труды Ж. И. Алфёрова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А. П. Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А. Ф. Иоффе и золотой медалью А. С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.
Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почётным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почётным доктором и профессором его избрали учёные советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.
Астероид (№ 3884) Alferov, открытый 13 марта 1977 года Н. С. Черных в Крымской астрофизической обсерватории был назван в честь учёного 22 февраля 1997 года.